1、TPS65131芯片出现自激振荡问题，可通过排查电路设计、调整参数、更换器件三类方式解决，核心是抑制环路增益、稳定反馈通路。

2、若发现VOUT与GND间阻值异常偏低（正常时应为数百千欧以上），可能内部功率管击穿。此时需更换芯片并复查外围电路是否存在过压隐患。 理解了这个逻辑链条后，建议先测量带载瞬间的输出电压波形、电感电流波形，结合德州仪器官方提供的仿真模型TPS65131 PSpice Transient Model进行工况对比验证。

3、TPS65130输出电压不稳定的解决方法可归纳为五步，优先排查电源与负载，逐步优化电路设计。 输入电源排查 确认电源是否稳定，若波动明显，可切换为稳压电源供电。输入电压不稳会导致芯片输出异常，建议通过示波器监测输入波形，确保电压在芯片工作范围内。

1、二） 解决措施 调整共模电感参数：通过改变磁芯间隙、增减匝数，调整其谐振频率，避开变压器的寄生谐振区间。 加装阻尼元件：在共模电感与变压器的连接回路中串联低阻值无感电阻，消耗振荡产生的多余能量。

2、二） 磁芯频散导致阻抗特性异常若共模电感采用的磁芯材质在开关频率区间内出现磁导率频散，电感量会随频率发生突变，此时共模电感会呈现非纯阻性的感性或容性阻抗，和变压器的漏感、绕组间电容叠加形成谐振，进一步放大电压电流扰动，引发变压器振荡。

3、典型应用场景的基础关联高频变压器是功率变换的核心器件，其原副边存在不可避免的漏感、绕组寄生电容，在开关管高频开关激励下，极易与电路滤波电容形成LC谐振回路，产生高频振荡，会引发EMI超标、器件应力过载等问题。

4、共模电感引发变压器振荡的核心原因是二者通过寄生参数形成匹配的谐振回路，且系统满足巴克豪森振荡条件，最终触发不稳定的周期性振荡。

5、寄生参数异常也会间接诱发振荡共模电感的绕组匝数、绕制工艺出现偏差时，会导致分布电容、漏感等寄生参数改变，实际谐振频率发生偏移，与变压器的固有谐振频率形成拍振，引发持续性的振荡现象。

1、适当提高MOSFET内部寄生电阻：降低器件最高开关速度，改善抑制栅极振荡。

2、开尔文源极架构：分离功率源极与信号源极，阻断功率回路寄生电感对栅极驱动的干扰。低感PCB设计：采用多层板布局，功率回路与信号回路分层布置，增加电源平面与地平面的耦合。驱动电路优化 动态栅极电阻配置：差异化设计开通（Rg_on=10Ω）与关断电阻（Rg_off=7Ω），抑制振荡能量。

3、将栅极电阻Rg放置在离MOSFET栅极较近的位置，减少噪音干扰。

4、在栅极驱动电路中施加负电压（如-5V）关断SiC MOSFET，可提高抗干扰能力，减少误触发导致的振荡。